一、定義與原理
定義：等離子去膠是利用等離子體技術(shù)，通過氣體放電產(chǎn)生高能粒子，這些粒子能夠解離化學(xué)鍵、改變分子結(jié)構(gòu)，從而有效去除物體表面的污染物、殘留膠層等雜質(zhì)的過程。
原理：在特定壓強(qiáng)和電壓條件下，通過氣輝放電的方式產(chǎn)生等離子體。等離子體由電子、離子、自由基等活性粒子組成，具有很高的能量和反應(yīng)活性。當(dāng)?shù)入x子體直接噴向被處理表面時(shí)，會與表面物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，分解并去除污染物，同時(shí)增加表面的活性，提升潤濕性和附著力。
二、優(yōu)勢與特點(diǎn)
高效去膠：等離子體的高反應(yīng)活性使其能夠迅速破壞膠體顆粒的結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)膠體的去除。
環(huán)保節(jié)能：無需使用化學(xué)溶劑，減少二次污染和資源消耗，符合環(huán)保要求。
精準(zhǔn)控制：具備高精度的控制和均勻性控制，確保處理效果的一致性。
廣泛適用：適用于多種材料和工藝，包括硅片、玻璃片、金屬等。
三、工藝參數(shù)與影響因素
等離子去膠的效果受多個(gè)工藝參數(shù)的影響，包括射頻頻率、清洗時(shí)間、真空壓力值以及腔體溫度等。這些參數(shù)需要根據(jù)具體的去膠需求和材料特性進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化，以獲得最佳的去膠效果。
岱美設(shè)計(jì)生產(chǎn)的先進(jìn)干法去膠、掩膜蝕刻系列產(chǎn)品，可用于大批量去膠與大劑量離子注入后去膠，同時(shí)還可用于各種硬掩膜層干法蝕刻。
微波等離子清洗，等離子去膠工藝擁有低污染顆粒，低成本大規(guī)模量產(chǎn)，高均勻性與高可復(fù)制性等工藝特征。采用高度模塊化設(shè)計(jì)，為廣大客戶提供多樣靈活配置方案，滿足不同的先進(jìn)制程要求。
四、等離子去膠應(yīng)用領(lǐng)域：
1、LDI后光刻膠去除；
2、光刻膠、聚合物去除（灰化）；
3、大劑量離子注入后光刻膠去除；
4、二氧化硅、氮化硅、氮化鈦掩膜蝕刻；
5、碳化硅、氮化鎵、鉭酸鋰、磷化銦材料工藝；
6、射頻濾波器BAW，SAW生產(chǎn)工藝中光刻膠去除；
7、MEMS應(yīng)用、晶圓級封裝（PR、PI、BCB、PBO）。
產(chǎn)品型號：